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HS-phys-SimPLe半導(dǎo)體晶片內(nèi)部缺陷檢測(cè)系統(tǒng)



產(chǎn)品介紹
HS-phys-SimPLe半導(dǎo)體晶片內(nèi)部缺陷檢測(cè)系統(tǒng)是專門(mén)用于包括單晶硅、碳化硅、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體晶片及晶環(huán)生產(chǎn)過(guò)程中以極高的分辨率探測(cè)晶片和晶環(huán)的內(nèi)部滑移線、內(nèi)部隱裂等內(nèi)部缺陷檢測(cè)的儀器

檢測(cè)原理是：HS-Phys-SimPLe系統(tǒng)是一種高分辨率光致發(fā)光（PL）掃描映射系統(tǒng)，用于表征直徑高達(dá)400mm的半導(dǎo)體晶片。使用專門(mén)設(shè)計(jì)的高強(qiáng)度激光源來(lái)激發(fā)半導(dǎo)體材料中的少子載流子。
 
三種類型復(fù)合載體：SRH（Shockley-Read-Hall）深能級(jí)復(fù)合，Auger俄歇復(fù)合和Radiative輻射復(fù)合。在較低注入水平下，Auger俄歇復(fù)合可以忽略不計(jì)，因此“清潔”區(qū)域由輻射控制，而污染區(qū)域主要由SRH深能級(jí)復(fù)合控制。由于結(jié)晶滑移缺陷就像溶解污染的吸雜點(diǎn)，具有較低的輻射發(fā)射。因此可以通過(guò)PL技術(shù)將其可視化。



產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 直徑達(dá)400mm、厚度達(dá)30mm的晶片檢查
■ 60μm分辨率下的滑移線檢測(cè)
■ 更多波長(zhǎng)可供選擇
■ 檢測(cè)速度：12英寸-13分鐘，8英寸-5分鐘
■ 利用優(yōu)化的波長(zhǎng)和過(guò)濾進(jìn)行PL滑移線檢查，可以發(fā)現(xiàn)制程中尚未發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題
■ 顯示更小的滑移線等內(nèi)部缺陷。
■ 自動(dòng)晶圓探測(cè)器
■ 自動(dòng)參數(shù)設(shè)置
■ 即使在低信號(hào)采樣上也具有高分辨率和高對(duì)比度



技術(shù)指標(biāo)：
■ 主要探測(cè)：半導(dǎo)體級(jí)硅晶片/環(huán)，光伏硅片，碳化硅晶片，藍(lán)寶石晶片等半導(dǎo)體晶片/環(huán)
 
■ 檢測(cè)時(shí)間：
■cca.5分鐘/8英寸晶圓
■cca.13分鐘/12英寸晶圓
 
■成像系統(tǒng)：
■0.4mm分辨率的近紅外InGaAs探測(cè)器
■高靈敏度溫控FPA
 
■激光系統(tǒng)： 
■1級(jí)高功率近紅外激光系統(tǒng)
■外殼上有冗余聯(lián)鎖
■警示燈
■軟件聯(lián)鎖
■TEC溫度穩(wěn)定，采用閉路水冷卻
■滿功率時(shí)溫度穩(wěn)定性在2攝氏度以內(nèi)
 
■激光控制：電腦控制電源，帶有集成PID溫度控制器。
 
■參考系統(tǒng)的少子壽命精度：<5%（若校準(zhǔn)）
 
■重復(fù)性：<5%
 
■機(jī)器對(duì)機(jī)器系數(shù):校準(zhǔn)后<3%
 
■ 尺寸：1800[H]x 1100[W]x 1100[D]mm
 
■ 重量：270kg
 
■合規(guī)：CE、RoH
 
 

 
典型用戶
 
聯(lián)電、綠能科技、臺(tái)積電等半導(dǎo)體龍頭企業(yè)